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BLM8G0710S-30PBY

BLM8G0710S-30PBY

참조 용

부품 번호 BLM8G0710S-30PBY
PNEDA 부품 번호 BLM8G0710S-30PBY
설명 RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 8,838
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLM8G0710S-30PBY 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLM8G0710S-30PBY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLM8G0710S-30PBY, BLM8G0710S-30PBY 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 2,323.71 KB)
PDFBLM8G0710S-30PBY 데이터 시트 표지
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  • BLM8G0710S-30PBY Distributor

BLM8G0710S-30PBY 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수957.5MHz
이득35dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트30mA
전원-출력3W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1211-3
공급자 장치 패키지16-HSOPF

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Ampleon USA Inc.

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전압-정격

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트랜지스터 유형

LDMOS

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

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현재-테스트

900mA

전원-출력

22W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.17GHz

이득

31dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

40mA

전원-출력

4W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1211-2

공급자 장치 패키지

16-HSOPF

ARF473

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

주파수

130MHz

이득

14dB

전압-테스트

135V

전류 정격 (Amps)

10A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

300W

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CGHV59350F

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

5.2GHz ~ 5.9GHz

이득

11.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

24A

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

450W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

440217

공급자 장치 패키지

440217

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