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BLM8G0710S-60PBY

BLM8G0710S-60PBY

참조 용

부품 번호 BLM8G0710S-60PBY
PNEDA 부품 번호 BLM8G0710S-60PBY
설명 RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 11,088
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLM8G0710S-60PBY 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLM8G0710S-60PBY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLM8G0710S-60PBY, BLM8G0710S-60PBY 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 1,739.84 KB)
PDFBLM8G0710S-60PBGY 데이터 시트 표지
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BLM8G0710S-60PBY 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수957.5MHz
이득36.2dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트60mA
전원-출력6W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1211-2
공급자 장치 패키지16-HSOPF

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28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

36W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

17.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

56W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

SOT-957A

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NI-780H-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

520MHz

이득

18.5dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

70W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

CGHV96100F2

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

7.9GHz ~ 9.6GHz

이득

10.2dB

전압-테스트

40V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

131W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

440210

공급자 장치 패키지

440210

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.88GHz ~ 1.91GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

24W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

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