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MRF7S19120NR1

MRF7S19120NR1

참조 용

부품 번호 MRF7S19120NR1
PNEDA 부품 번호 MRF7S19120NR1
설명 FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,104
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S19120NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S19120NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S19120NR1, MRF7S19120NR1 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 811.14 KB)
PDFMRF7S19120NR1 데이터 시트 표지
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MRF7S19120NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득18dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.2A
전원-출력36W
전압-정격65V
패키지 / 케이스TO-270AB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

14.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

120mA

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.16GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.05A

전원-출력

23W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-272-4

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

58W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

460MHz

이득

20dB

전압-테스트

3V

전류 정격 (Amps)

350mA

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

28dbm

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

79A

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