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BLP05H6350XRY

BLP05H6350XRY

참조 용

부품 번호 BLP05H6350XRY
PNEDA 부품 번호 BLP05H6350XRY
설명 RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 5,940
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 7 - 4월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLP05H6350XRY 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLP05H6350XRY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLP05H6350XRY, BLP05H6350XRY 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,297.38 KB)
PDFBLP05H6350XRY 데이터 시트 표지
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BLP05H6350XRY 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수108MHz
이득27dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력350W
전압-정격135V
패키지 / 케이스SOT-1223-2
공급자 장치 패키지4-HSOPF

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

26.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

300W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz

이득

18.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

72W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

2SK3074TE12LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

520MHz

이득

14.9dB

전압-테스트

9.6V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

630mW

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SC-62

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.39GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.9A

전원-출력

40W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

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293D226X0010B2TE3

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IS61WV102416BLL-10TLI

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