BLP10H603AZ
참조 용
| 부품 번호 | BLP10H603AZ |
| PNEDA 부품 번호 | BLP10H603AZ |
| 설명 | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
| 제조업체 | Ampleon |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,570 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BLP10H603AZ 리소스
| 브랜드 | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BLP10H603AZ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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BLP10H603AZ 사양
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 860MHz |
| 이득 | 22.8dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 15mA |
| 전원-출력 | 2.5W |
| 전압-정격 | 104V |
| 패키지 / 케이스 | 12-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 12-HVSON (6x4) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 2.17GHz 이득 31dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 40mA 전원-출력 4W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-1211-2 공급자 장치 패키지 16-HSOPF |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 880MHz 이득 21.4dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 450mA 전원-출력 14W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 TO-270AA 공급자 장치 패키지 TO-270-2 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 2.17GHz 이득 14.4dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 16W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S-4 공급자 장치 패키지 NI-780S-4 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.03GHz 이득 19.7dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 200mA 전원-출력 500W 전압-정격 110V 패키지 / 케이스 SOT-957A 공급자 장치 패키지 NI-780H-2L |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 GaN 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 6GHz 이득 21dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 60mA 전원-출력 15W 전압-정격 125V 패키지 / 케이스 12-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 12-DFN (4x3) |
