BLP10H603AZ
참조 용
| 부품 번호 | BLP10H603AZ |
| PNEDA 부품 번호 | BLP10H603AZ |
| 설명 | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
| 제조업체 | Ampleon |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,570 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BLP10H603AZ 리소스
| 브랜드 | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BLP10H603AZ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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BLP10H603AZ 사양
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 860MHz |
| 이득 | 22.8dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 15mA |
| 전원-출력 | 2.5W |
| 전압-정격 | 104V |
| 패키지 / 케이스 | 12-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 12-HVSON (6x4) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 pHEMT FET 주파수 3.55GHz 이득 10dB 전압-테스트 12V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 180mA 전원-출력 10W 전압-정격 15V 패키지 / 케이스 NI-360HF 공급자 장치 패키지 NI-360HF |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 960MHz 이득 18.5dB 전압-테스트 26V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 600mA 전원-출력 80W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 TO-272BB 공급자 장치 패키지 TO-272 WB-4 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 945MHz 이득 14dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 4A 소음 수치 - 현재-테스트 50mA 전원-출력 30W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 PowerSO-10 Exposed Bottom Pad 공급자 장치 패키지 10-PowerSO |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.17GHz 이득 15.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 130mA 전원-출력 10W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 TO-270BA 공급자 장치 패키지 TO-270-2 GULL |
