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BLP10H603AZ

BLP10H603AZ

참조 용

부품 번호 BLP10H603AZ
PNEDA 부품 번호 BLP10H603AZ
설명 RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 6,570
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 28 - 5월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLP10H603AZ 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLP10H603AZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLP10H603AZ, BLP10H603AZ 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 874.92 KB)
PDFBLP10H603AZ 데이터 시트 표지
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  • BLP10H603AZ Distributor

BLP10H603AZ 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수860MHz
이득22.8dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트15mA
전원-출력2.5W
전압-정격104V
패키지 / 케이스12-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지12-HVSON (6x4)

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NXP USA Inc.

시리즈

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LDMOS

주파수

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19.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

500W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.17GHz

이득

14.4dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

16W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

CGHV27015S

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

6GHz

이득

21dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

60mA

전원-출력

15W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

12-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-DFN (4x3)

PTFA092201FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.85A

전원-출력

220W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

10dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

10W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

NI-360HF

공급자 장치 패키지

NI-360HF

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