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PTFA092201FV4R250XTMA1

PTFA092201FV4R250XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFA092201FV4R250XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFA092201FV4R250XTMA1
설명 IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
제조업체 Infineon Technologies
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PTFA092201FV4R250XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA092201FV4R250XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA092201FV4R250XTMA1, PTFA092201FV4R250XTMA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 1,765.65 KB)
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PTFA092201FV4R250XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득18.5dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1.85A
전원-출력220W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-37260-2

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28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

15mA

전원-출력

1.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1211-3

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.5GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-30260-2

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

520MHz

이득

13.5dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

6A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

35W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

TO-272AA

공급자 장치 패키지

TO-272-6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.03GHz

이득

18.2dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

30dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

12mA

전원-출력

-

전압-정격

6V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

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