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PTF141501E V1

PTF141501E V1

참조 용

부품 번호 PTF141501E V1
PNEDA 부품 번호 PTF141501E-V1
설명 IC FET RF LDMOS 150W H-30260-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,194
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 15 - 4월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTF141501E V1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTF141501E V1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTF141501E V1, PTF141501E V1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 286.79 KB)
PDFPTF141501E V1 데이터 시트 표지
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  • PTF141501E V1 Distributor

PTF141501E V1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈GOLDMOS®
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.5GHz
이득16.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)1µA
소음 수치-
현재-테스트1.5A
전원-출력150W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지H-30260-2

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전압-테스트

28V

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1A

전원-출력

250W

전압-정격

120V

패키지 / 케이스

440201

공급자 장치 패키지

440201

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

13dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

26W

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.12GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

610mA

전원-출력

14W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-272-4

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

65A

소음 수치

-

현재-테스트

1.9A

전원-출력

70W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

PXAC201602FC-V1

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.02GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

360mA

전원-출력

22.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

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