MRF6S21060MBR1
참조 용
| 부품 번호 | MRF6S21060MBR1 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6S21060MBR1 |
| 설명 | FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,076 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6S21060MBR1 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6S21060MBR1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6S21060MBR1 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 2.12GHz |
| 이득 | 15.5dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 610mA |
| 전원-출력 | 14W |
| 전압-정격 | 68V |
| 패키지 / 케이스 | TO-272-4 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-272 WB-4 |
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제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual), Common Source 주파수 1.805GHz ~ 2.2GHz 이득 17.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 1.4µA 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 60W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-1275-1 공급자 장치 패키지 SOT-1275-1 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.81GHz 이득 17.9dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.6A 전원-출력 74W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-1110A 공급자 장치 패키지 NI1230-8 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 150MHz 이득 11dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 1mA 소음 수치 - 현재-테스트 250mA 전원-출력 150W 전압-정격 170V 패키지 / 케이스 M174 공급자 장치 패키지 M174 |
