BLP10H605Z
참조 용
| 부품 번호 | BLP10H605Z |
| PNEDA 부품 번호 | BLP10H605Z |
| 설명 | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
| 제조업체 | Ampleon |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,250 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BLP10H605Z 리소스
| 브랜드 | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BLP10H605Z |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
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BLP10H605Z 사양
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual), Common Source |
| 주파수 | 860MHz |
| 이득 | 22.4dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 30mA |
| 전원-출력 | 5W |
| 전압-정격 | 104V |
| 패키지 / 케이스 | 12-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 12-HVSON (6x5) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.4GHz 이득 18dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 330W 전압-정격 100V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 220MHz 이득 23.9dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 30mA 전원-출력 10W 전압-정격 120V 패키지 / 케이스 TO-270-2 공급자 장치 패키지 TO-270-2 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 880MHz 이득 21.1dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 450mA 전원-출력 14W 전압-정격 66V 패키지 / 케이스 TO-270AA 공급자 장치 패키지 TO-270-2 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 175MHz 이득 14dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 50µA 소음 수치 - 현재-테스트 250mA 전원-출력 150W 전압-정격 130V 패키지 / 케이스 M174 공급자 장치 패키지 M174 |
