BLP35M805Z
참조 용
| 부품 번호 | BLP35M805Z |
| PNEDA 부품 번호 | BLP35M805Z |
| 설명 | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN |
| 제조업체 | Ampleon |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 13,056 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BLP35M805Z 리소스
| 브랜드 | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BLP35M805Z |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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BLP35M805Z 사양
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 2.14GHz |
| 이득 | 18dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 55mA |
| 전원-출력 | 750mW |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | 16-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 16-HVSON (6x4) |
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제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 트랜지스터 유형 E-pHEMT 주파수 2GHz 이득 15.5dB 전압-테스트 4.5V 전류 정격 (Amps) 1A 소음 수치 1.1dB 현재-테스트 280mA 전원-출력 29dBm 전압-정격 - 패키지 / 케이스 TO-243AA 공급자 장치 패키지 SOT-89 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 2.17GHz 이득 14dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 360mA 전원-출력 28W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI780-4 공급자 장치 패키지 NI-780-4 |
