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A2T23H200W23SR6

A2T23H200W23SR6

참조 용

부품 번호 A2T23H200W23SR6
PNEDA 부품 번호 A2T23H200W23SR6
설명 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,312
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T23H200W23SR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T23H200W23SR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2T23H200W23SR6, A2T23H200W23SR6 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 791.33 KB)
PDFA2T23H200W23SR6 데이터 시트 표지
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A2T23H200W23SR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.3GHz ~ 2.4GHz
이득15.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트500mA
전원-출력51W
전압-정격65V
패키지 / 케이스ACP-1230S-4L2S
공급자 장치 패키지ACP-1230S-4L2S

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

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이득

19.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

320mA

전원-출력

4W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

TO-272-4

공급자 장치 패키지

TO-272-4

BLP15M7160PY

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

860MHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

160W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1223-1

공급자 장치 패키지

4-HSOPF

LET20030C

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

13.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

9A

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

45W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

M243

공급자 장치 패키지

M243

CGHV40030F

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

0Hz ~ 6GHz

이득

16dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

4.2A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

30W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

440166

공급자 장치 패키지

440166

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.66GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

20W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

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