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BLP15M7160PY

BLP15M7160PY

참조 용

부품 번호 BLP15M7160PY
PNEDA 부품 번호 BLP15M7160PY
설명 RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12232
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 17,688
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 7 - 4월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLP15M7160PY 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLP15M7160PY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLP15M7160PY, BLP15M7160PY 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 991.05 KB)
PDFBLP15M7160PY 데이터 시트 표지
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BLP15M7160PY 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수860MHz
이득20dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력160W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1223-1
공급자 장치 패키지4-HSOPF

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전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.62A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

PTF180101M V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

PG-RFP-10

PXAC261202FCV1XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.61GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

230mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz

이득

16.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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