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BLF7G22L-200,112

BLF7G22L-200,112

참조 용

부품 번호 BLF7G22L-200,112
PNEDA 부품 번호 BLF7G22L-200-112
설명 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 8,892
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF7G22L-200 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF7G22L-200,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF7G22L-200, BLF7G22L-200 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,125.19 KB)
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BLF7G22L-200 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득18.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.62A
전원-출력55W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502A
공급자 장치 패키지LDMOST

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전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

16W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PLD-1.5W

공급자 장치 패키지

PLD-1.5W

2SK3557-7-TB-E

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

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이득

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전류 정격 (Amps)

50mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

1mA

전원-출력

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15V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

3-CP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-360S

공급자 장치 패키지

NI-360S

PD85035STR1-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

17dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

15W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

IXZ318N50

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

Z-MOS™

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

65MHz

이득

23dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

19A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

880W

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DE375

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