PD85035STR1-E
참조 용
| 부품 번호 | PD85035STR1-E |
| PNEDA 부품 번호 | PD85035STR1-E |
| 설명 | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,876 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PD85035STR1-E 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PD85035STR1-E |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
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PD85035STR1-E 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 870MHz |
| 이득 | 17dB |
| 전압-테스트 | 13.6V |
| 전류 정격 (Amps) | 8A |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 350mA |
| 전원-출력 | 15W |
| 전압-정격 | 40V |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 860MHz 이득 22dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 350mA 전원-출력 18W 전압-정격 115V 패키지 / 케이스 TO-272-4 공급자 장치 패키지 TO-272-4 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual), Common Source 주파수 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득 18.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 65A 소음 수치 - 현재-테스트 1.9A 전원-출력 70W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT539A 공급자 장치 패키지 SOT539A |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel JFET 주파수 100MHz 이득 - 전압-테스트 10V 전류 정격 (Amps) 30mA 소음 수치 1.5dB 현재-테스트 5mA 전원-출력 - 전압-정격 20V 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 TO-236AB (SOT23) |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 230MHz 이득 23dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 1250W 전압-정격 133V 패키지 / 케이스 OM-1230-4L 공급자 장치 패키지 OM-1230-4L |
