BLP8G27-10Z
참조 용
| 부품 번호 | BLP8G27-10Z |
| PNEDA 부품 번호 | BLP8G27-10Z |
| 설명 | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN |
| 제조업체 | Ampleon |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 16,098 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BLP8G27-10Z 리소스
| 브랜드 | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BLP8G27-10Z |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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BLP8G27-10Z 사양
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual), Common Source |
| 주파수 | 2.14GHz |
| 이득 | 17dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 110mA |
| 전원-출력 | 2W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | 16-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 16-HVSON (6x4) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 945MHz 이득 15dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 5A 소음 수치 - 현재-테스트 250mA 전원-출력 45W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 M250 공급자 장치 패키지 M250 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 2.14GHz 이득 18.1dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.4A 전원-출력 48W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-1230 공급자 장치 패키지 NI-1230 |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득 13.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 720mA 전원-출력 290W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 H-37275G-6/2 공급자 장치 패키지 H-37275G-6/2 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.96GHz 이득 17dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 900mA 전원-출력 44dBm 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지 H-36248-2 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 800MHz 이득 - 전압-테스트 9V 전류 정격 (Amps) 30mA 소음 수치 2dB 현재-테스트 10mA 전원-출력 - 전압-정격 14V 패키지 / 케이스 TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지 SOT-143B |
