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PTFA191001EV4XWSA1

PTFA191001EV4XWSA1

참조 용

부품 번호 PTFA191001EV4XWSA1
PNEDA 부품 번호 PTFA191001EV4XWSA1
설명 IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,102
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA191001EV4XWSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA191001EV4XWSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA191001EV4XWSA1, PTFA191001EV4XWSA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 250.38 KB)
PDFPTFA191001F V4 R250 데이터 시트 표지
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  • PTFA191001EV4XWSA1 Distributor

PTFA191001EV4XWSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.96GHz
이득17dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트900mA
전원-출력44dBm
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지H-36248-2

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전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

40mA

전원-출력

4W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1212-2

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Cree/Wolfspeed

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

360mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

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이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

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-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

63W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

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