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BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112

참조 용

부품 번호 BLS6G2731S-120,112
PNEDA 부품 번호 BLS6G2731S-120-112
설명 RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 2,808
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 12 - 2월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLS6G2731S-120 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLS6G2731S-120,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLS6G2731S-120, BLS6G2731S-120 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,107.45 KB)
PDFBLS6G2731S-120 데이터 시트 표지
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BLS6G2731S-120 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.7GHz ~ 3.1GHz
이득13.5dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)33A
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력120W
전압-정격60V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

470MHz

이득

11.5dB

전압-테스트

6V

전류 정격 (Amps)

3A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

36.5dBmW

전압-정격

12V

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.6GHz ~ 1.66GHz

이득

19.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

CLF1G0035-200PU

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

920MHz ~ 960MHz

이득

19.7dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

35W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

24.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

600W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

OM780-4

공급자 장치 패키지

OM780-4

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