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BSD235NH6327XTSA1

BSD235NH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BSD235NH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BSD235NH6327XTSA1
설명 MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 283,926
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSD235NH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSD235NH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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BSD235NH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)950mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 1.6µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.32nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds63pF @ 10V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지PG-SOT363-6

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ON Semiconductor

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

215pF @ 15V

전력-최대

1.9W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XDFN

공급자 장치 패키지

4-AlphaDFN (1.7x1.7)

DMN2008LFU-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250A

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1418pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2030-6 (Type B)

DMN5L06VKQ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

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제조업체

Renesas Electronics America

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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