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UPA2379T1P-E1-A

UPA2379T1P-E1-A

참조 용

부품 번호 UPA2379T1P-E1-A
PNEDA 부품 번호 UPA2379T1P-E1-A
설명 MOSFET 2N-CH 12V
제조업체 Renesas Electronics America
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UPA2379T1P-E1-A 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UPA2379T1P-E1-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
UPA2379T1P-E1-A, UPA2379T1P-E1-A 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 305.39 KB)
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UPA2379T1P-E1-A 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.8W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-XFLGA
공급자 장치 패키지6-EFLIP-LGA (2.17x1.47)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Infineon Technologies

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Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

120pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SH8MA4TB1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta), 8.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21.4mOhm @ 9A, 10V, 29.6mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.5nC, 19.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

640pF, 890pF @ 15V

전력-최대

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

STS4DPF30L

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제조업체

STMicroelectronics

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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16A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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