BSO615N
참조 용
| 부품 번호 | BSO615N |
| PNEDA 부품 번호 | BSO615N |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,906 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSO615N 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSO615N |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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BSO615N 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | SIPMOS® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.6A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 20µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 380pF @ 25V |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | PG-DSO-8 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A, 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 340pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 P-DSO-8 |
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