SI1036X-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SI1036X-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SI1036X-T1-GE3 |
| 설명 | MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,082 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SI1036X-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SI1036X-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SI1036X-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 610mA (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 36pF @ 15V |
| 전력-최대 | 220mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | SC-89-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 21A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3115pF @ 25V 전력-최대 64W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-1205, 8-LFPAK56 공급자 장치 패키지 LFPAK56D |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15pF @ 10V 전력-최대 300mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지 SMT6 |
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