BSH205G2VL
참조 용
| 부품 번호 | BSH205G2VL |
| PNEDA 부품 번호 | BSH205G2VL |
| 설명 | MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,740 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSH205G2VL 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSH205G2VL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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BSH205G2VL 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.3A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 950mV @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 418pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 480mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | TO-236AB |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 24.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 740pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 48W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.2nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 166pF @ 40V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 625mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2000pF @ 13V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.7W (Ta), 39W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 8-TQFN Exposed Pad |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A (Ta), 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 41.3nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2090pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.2W (Ta), 41W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.5nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 43pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 500mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT323-3 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 |
