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BSL215PL6327HTSA1

BSL215PL6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BSL215PL6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BSL215PL6327HTSA1
설명 MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP-6
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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예상 배송 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSL215PL6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSL215PL6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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  • BSL215PL6327HTSA1 Distributor

BSL215PL6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.55nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds346pF @ 15V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지PG-TSOP-6-6

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시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

640pF @ 25V

전력-최대

3W (Ta), 37W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

TPCL4202(TE85L,F)

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

780pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFLGA

공급자 장치 패키지

4-Chip LGA (1.59x1.59)

NTZD3156CT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA, 430mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

72pF @ 16V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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