APTC60DSKM70T1G
참조 용
| 부품 번호 | APTC60DSKM70T1G |
| PNEDA 부품 번호 | APTC60DSKM70T1G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,100 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTC60DSKM70T1G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTC60DSKM70T1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTC60DSKM70T1G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | CoolMOS™ |
| FET 유형 | 2 N Channel (Dual Buck Chopper) |
| FET 기능 | Super Junction |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 39A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 39A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 259nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 700pF @ 25V |
| 전력-최대 | 250W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 공급자 장치 패키지 | SP1 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 25V 전력-최대 1.04W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지 8-MSOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2360pF @ 6V 전력-최대 2.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 X3-DSN2718-6 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1821pF @ 10V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.7A, 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 830mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21.6nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1400pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
