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SI6544BDQ-T1-GE3

SI6544BDQ-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI6544BDQ-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI6544BDQ-T1-GE3
설명 MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 3,960
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI6544BDQ-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI6544BDQ-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI6544BDQ-T1-GE3, SI6544BDQ-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 130.93 KB)
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  • SI6544BDQ-T1-GE3 Distributor

SI6544BDQ-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.7A, 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs43mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대830mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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IXYS

시리즈

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FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

97nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5800pF @ 25V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-TSST

CTLDM303N-M832DS TR

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF @ 10V

전력-최대

1.65W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TDFN Exposed Pad

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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