FDS6898AZ
참조 용
| 부품 번호 | FDS6898AZ |
| PNEDA 부품 번호 | FDS6898AZ |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 20,040 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDS6898AZ 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDS6898AZ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FDS6898AZ 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.4A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1821pF @ 10V |
| 전력-최대 | 900mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 218.7pF @ 25V 전력-최대 1.7W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A, 93A Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 128nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 11130pF @ 30V 전력-최대 2.2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-Power 5x6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 450mA (Ta), 310mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V 전력-최대 350mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-963 공급자 장치 패키지 SOT-963 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 180mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 250mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SC-89-6 |
