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DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

참조 용

부품 번호 DMN16M9UCA6-7
PNEDA 부품 번호 DMN16M9UCA6-7
설명 MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN16M9UCA6-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN16M9UCA6-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN16M9UCA6-7, DMN16M9UCA6-7 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 480.11 KB)
PDFDMN16M9UCA6-7 데이터 시트 표지
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  • DMN16M9UCA6-7 Distributor

DMN16M9UCA6-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs35.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2360pF @ 6V
전력-최대2.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지X3-DSN2718-6

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Rohm Semiconductor

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2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

FDG6301N-F085P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.5pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc), 30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

325pF @ 15V, 650pF @ 15V

전력-최대

16W, 16.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-Power33 (3x3)

CMXDM7002A TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.59nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

350mW

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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16A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

780mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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