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STS8DNF3LL

STS8DNF3LL

참조 용

부품 번호 STS8DNF3LL
PNEDA 부품 번호 STS8DNF3LL
설명 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 6,174
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STS8DNF3LL 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STS8DNF3LL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
STS8DNF3LL, STS8DNF3LL 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 555.26 KB)
PDFSTS8DNF3LL 데이터 시트 표지
STS8DNF3LL 데이터 시트 페이지 2 STS8DNF3LL 데이터 시트 페이지 3 STS8DNF3LL 데이터 시트 페이지 4 STS8DNF3LL 데이터 시트 페이지 5 STS8DNF3LL 데이터 시트 페이지 6 STS8DNF3LL 데이터 시트 페이지 7 STS8DNF3LL 데이터 시트 페이지 8 STS8DNF3LL 데이터 시트 페이지 9 STS8DNF3LL 데이터 시트 페이지 10 STS8DNF3LL 데이터 시트 페이지 11

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STS8DNF3LL 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™ II
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs20mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds800pF @ 25V
전력-최대1.6W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.8A, 7.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1080pF @ 15V

전력-최대

3.1W, 2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NTJD1155LT2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PMGD175XNEX

Nexperia

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

870mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

252mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.65nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

81pF @ 15V

전력-최대

260mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

APTC60DSKM35T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

72A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5.4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

518nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14000pF @ 25V

전력-최대

416W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FF8MR12W2M1B11BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150A (Tj)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)

Vgs (th) (최대) @ Id

5.55V @ 60mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

372nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11000pF @ 800V

전력-최대

20mW (Tc)

작동 온도

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