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BSM150GB120DN2HOSA1

BSM150GB120DN2HOSA1

참조 용

부품 번호 BSM150GB120DN2HOSA1
PNEDA 부품 번호 BSM150GB120DN2HOSA1
설명 IGBT 2 MED POWER 62MM-1
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $72.3832
50 ---------- $68.9903
100 ---------- $65.5973
200 ---------- $62.2043
400 ---------- $59.3769
500 ---------- $56.5494
재고 있음 5,920
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예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSM150GB120DN2HOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSM150GB120DN2HOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • Infineon Technologies Distributor
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  • BSM150GB120DN2HOSA1 Distributor

BSM150GB120DN2HOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)210A
전력-최대1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대)2.8mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce11nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

105A

전력-최대

630W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 75A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.52nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

S-3 Module

공급자 장치 패키지

S3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전력-최대

270W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

VS-ETF075Y60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Three Level Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

109A

전력-최대

294W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.93V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.44nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

EMIPAK-2B

공급자 장치 패키지

EMIPAK-2B

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

225A

전력-최대

480W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

APTGT75TDU120PG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Triple, Dual - Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.34nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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