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BSM30GD60DLCE3224

BSM30GD60DLCE3224

참조 용

부품 번호 BSM30GD60DLCE3224
PNEDA 부품 번호 BSM30GD60DLCE3224
설명 IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,742
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BSM30GD60DLCE3224 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSM30GD60DLCE3224
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
BSM30GD60DLCE3224, BSM30GD60DLCE3224 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 215.21 KB)
PDFBSM30GD60DLCE3224 데이터 시트 표지
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  • BSM30GD60DLCE3224 Distributor

BSM30GD60DLCE3224 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전력-최대135W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대)500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce1.3nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

1500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

40nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

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시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

APT75GN120J

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

124A

전력-최대

379W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ISOTOP

공급자 장치 패키지

ISOTOP®

제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전력-최대

390W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 77A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E3

공급자 장치 패키지

E3

50MT060WH

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

114A

전력-최대

658W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

400µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.1nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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