BSO4420
참조 용
| 부품 번호 | BSO4420 |
| PNEDA 부품 번호 | BSO4420 |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,424 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSO4420 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSO4420 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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BSO4420 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 80µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 33.7nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2213pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2.5W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 640pF @ 6V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 900mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 372A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5mOhm @ 186A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 560nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 28900pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1250W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SP6 패키지 / 케이스 SP6 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 DTMOSIV FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 88mOhm @ 15.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.7V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 86nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3000pF @ 300V FET 기능 Super Junction 전력 손실 (최대) 230W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
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