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BSP52T1

BSP52T1

참조 용

부품 번호 BSP52T1
PNEDA 부품 번호 BSP52T1
설명 TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $1.6776
250 ---------- $1.5989
500 ---------- $1.5203
1,000 ---------- $1.4417
2,500 ---------- $1.3761
5,000 ---------- $1.3106
재고 있음 1,840
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BSP52T1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSP52T1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BSP52T1, BSP52T1 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 132.56 KB)
PDFBSP52T3 데이터 시트 표지
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BSP52T1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.3V @ 500µA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce2000 @ 500mA, 10V
전력-최대800mW
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SOT-223

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ON Semiconductor

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전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

5µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

55 @ 1A, 5V

전력-최대

130W

주파수-전환

30MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

450V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 2.5A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

100W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

2N3772

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 4A, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

10mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 10A, 4V

전력-최대

150W

주파수-전환

200kHz

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-3

2SA1709T-AN

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Rohm Semiconductor

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Rohm Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

200mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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