BSS138DW-7-F
참조 용
| 부품 번호 | BSS138DW-7-F |
| PNEDA 부품 번호 | BSS138DW-7-F |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 1,219,974 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
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BSS138DW-7-F 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSS138DW-7-F |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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BSS138DW-7-F 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 50V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 200mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 220mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 50pF @ 10V |
| 전력-최대 | 200mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-363 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.8A, 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 520pF @ 25V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.5A (Ta), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 600pF @ 15V 전력-최대 2.16W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 (Type D) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 73mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 660pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.9A, 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 190pF @ 25V 전력-최대 1.7W 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-MLP (3x3) |
