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MCH6602-TL-E

MCH6602-TL-E

참조 용

부품 번호 MCH6602-TL-E
PNEDA 부품 번호 MCH6602-TL-E
설명 MOSFET 2N-CH 30V 0.35A MCPH6
제조업체 ON Semiconductor
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MCH6602-TL-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MCH6602-TL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
MCH6602-TL-E, MCH6602-TL-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 242.64 KB)
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MCH6602-TL-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)350mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.58nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7pF @ 10V
전력-최대800mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지6-MCPH

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Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

906pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2030-6

FDS6910

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1130pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

APTMC60TL11CT3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (Three Level Inverter)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 1000V

전력-최대

125W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

IRF9953PBF

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SH8MA2GZETB

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4.5A, 10V, 82mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC, 6.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

125pF, 305pF @ 15V

전력-최대

1.4W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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