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BTS7904BATMA1

BTS7904BATMA1

참조 용

부품 번호 BTS7904BATMA1
PNEDA 부품 번호 BTS7904BATMA1
설명 MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,104
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BTS7904BATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BTS7904BATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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BTS7904BATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)55V, 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)40A
Rds On (최대) @ Id, Vgs11.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs121nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6100pF @ 25V
전력-최대69W, 96W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
공급자 장치 패키지PG-TO263-5-1

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ON Semiconductor

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

44mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1180pF @ 40V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

CMLDM7003 TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.76nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

SI3993CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

111mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

210pF @ 15V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

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Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

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FET 유형

4 N-Channel, Matched Pair

FET 기능

Depletion Mode

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12mA, 3mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

540Ohm @ 0V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.45V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

16-PDIP

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

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작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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