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BUJ106A,127

BUJ106A,127

참조 용

부품 번호 BUJ106A,127
PNEDA 부품 번호 BUJ106A-127
설명 TRANS NPN 400V 10A TO220AB
제조업체 WeEn Semiconductors
단가 견적 요청
재고 있음 7,164
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 25 - 1월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUJ106A 리소스

브랜드 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUJ106A,127
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BUJ106A, BUJ106A 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 335.24 KB)
PDFBUJ106A 데이터 시트 표지
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BUJ106A 사양

제조업체WeEn Semiconductors
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 1.2A, 6A
전류-수집기 차단 (최대)100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce14 @ 500mA, 5V
전력-최대80W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 16mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 4A, 4V

전력-최대

75W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

32V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

20nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

380 @ 2mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

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작동 온도

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 12mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 3A, 3V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 150mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

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