BUK763R9-60E/GFJ
참조 용
| 부품 번호 | BUK763R9-60E/GFJ |
| PNEDA 부품 번호 | BUK763R9-60E-GFJ |
| 설명 | MOSFET N-CH D2PAK |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,546 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK763R9-60E/GFJ 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK763R9-60E/GFJ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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BUK763R9-60E/GFJ 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | * |
| 트랜지스터 유형 | - |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | - |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | - |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | - |
| 전력-최대 | - |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 320mV @ 20mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 1.5A, 2V 전력-최대 545mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
