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BUK7907-40ATC,127

BUK7907-40ATC,127

참조 용

부품 번호 BUK7907-40ATC,127
PNEDA 부품 번호 BUK7907-40ATC-127
설명 MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUK7907-40ATC 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK7907-40ATC,127
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BUK7907-40ATC, BUK7907-40ATC 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 733.96 KB)
PDFBUK7907-40ATC 데이터 시트 표지
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BUK7907-40ATC 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs108nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4500pF @ 25V
FET 기능Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대)272W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-5
패키지 / 케이스TO-220-5

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta), 54A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

72nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6909pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.4W (Ta), 41W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

SI4431BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SCT3060ALGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

39A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

78mOhm @ 13A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.6V @ 6.67mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

58nC @ 18V

Vgs (최대)

+22V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

852pF @ 500V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

165W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247N

패키지 / 케이스

TO-247-3

DMN3005LK3-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46.9nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4342pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.68W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2700pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 18W (Tc)

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