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BUK9K134-100EX

BUK9K134-100EX

참조 용

부품 번호 BUK9K134-100EX
PNEDA 부품 번호 BUK9K134-100EX
설명 MOSFET 2N-CH 100V 8.5A 56LFPAK
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 97,122
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUK9K134-100EX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK9K134-100EX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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BUK9K134-100EX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs159mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.4nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds755pF @ 25V
전력-최대32W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-1205, 8-LFPAK56
공급자 장치 패키지LFPAK56D

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제조업체

Rohm Semiconductor

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-

FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 22mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14000pF @ 10V

전력-최대

780W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

AO8808A

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1810pF @ 10V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

ALD212902SAL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®, Zero Threshold™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DMN33D8LDW-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

48pF @ 5V

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

FDMA1032CZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A, 3.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

68mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

340pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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