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BYV26E-TR

BYV26E-TR

참조 용

부품 번호 BYV26E-TR
PNEDA 부품 번호 BYV26E-TR
설명 DIODE AVALANCHE 1000V 1A SOD57
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 815,988
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BYV26E-TR 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYV26E-TR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BYV26E-TR, BYV26E-TR 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 120.73 KB)
PDFBYV26A-TR 데이터 시트 표지
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BYV26E-TR 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Avalanche
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1000V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.5V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)75ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스SOD-57, Axial
공급자 장치 패키지SOD-57
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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Diodes Incorporated

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

HT18G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

TS-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SS3P4-M3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

130pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

IDL10G65C5XUMA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

180µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-PowerTSFN

공급자 장치 패키지

PG-VSON-4

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RB521G-30T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

350mV @ 10mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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