BZG05C8V2-HE3-TR
참조 용
| 부품 번호 | BZG05C8V2-HE3-TR |
| PNEDA 부품 번호 | BZG05C8V2-HE3-TR |
| 설명 | DIODE ZENER 8.2V 1.25W DO214AC |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,542 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BZG05C8V2-HE3-TR 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BZG05C8V2-HE3-TR |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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BZG05C8V2-HE3-TR 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 8.2V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 1.25W |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 5 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 6.2V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.2V @ 200mA |
| 작동 온도 | 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AC, SMA |
| 공급자 장치 패키지 | DO-214AC |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 23.19V 공차 ±3% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 35 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 200nA @ 19V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AC 공급자 장치 패키지 DO-219AC (microSMF) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 18V 공차 ±6.39% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 12 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 13V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-128 공급자 장치 패키지 PMDTM |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/356 전압-제너 (Nom) (Vz) 13V 공차 ±2% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 3 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 9.9V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 E, Axial 공급자 장치 패키지 E, Axial |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 56V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 100 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 42V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지 DO-213AB |
