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BZT52C11-G RHG

BZT52C11-G RHG

참조 용

부품 번호 BZT52C11-G RHG
PNEDA 부품 번호 BZT52C11-G-RHG
설명 DIODE ZENER 11V 350MW SOD123
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 5,274
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZT52C11-G RHG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZT52C11-G RHG
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZT52C11-G RHG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)11V
공차±5%
전력-최대350mW
임피던스 (최대) (Zzt)20 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.6 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

400nA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

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DO-213AA

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시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

35 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

ALF2

1N5995UR

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±2%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 13V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

1N5252BTA

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제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

33 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 17.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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