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CAS300M17BM2

CAS300M17BM2

참조 용

부품 번호 CAS300M17BM2
PNEDA 부품 번호 CAS300M17BM2
설명 MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE
제조업체 Cree/Wolfspeed
단가 견적 요청
재고 있음 7,470
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CAS300M17BM2 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CAS300M17BM2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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CAS300M17BM2 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈Z-Rec®
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)1700V (1.7kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)325A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs10mOhm @ 225A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id2.3V @ 15mA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1076nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds20000pF @ 1000V
전력-최대1760W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Rohm Semiconductor

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

70pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1340pF @ 16V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AO4862

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 15V

전력-최대

1.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1580pF @ 30V

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1.8W

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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