US6K2TR
참조 용
| 부품 번호 | US6K2TR |
| PNEDA 부품 번호 | US6K2TR |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6 |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 26,904 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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US6K2TR 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | US6K2TR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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US6K2TR 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.4A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 1.4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 70pF @ 10V |
| 전력-최대 | 1W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | TUMT6 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 49A Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 24.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 150nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7200pF @ 25V 전력-최대 250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
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