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CE3514M4-C2

CE3514M4-C2

참조 용

부품 번호 CE3514M4-C2
PNEDA 부품 번호 CE3514M4-C2
설명 RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT343
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 7,722
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CE3514M4-C2 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CE3514M4-C2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
CE3514M4-C2, CE3514M4-C2 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 741.13 KB)
PDFCE3514M4 데이터 시트 표지
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CE3514M4-C2 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형pHEMT FET
주파수12GHz
이득12.2dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)68mA
소음 수치0.62dB
현재-테스트15mA
전원-출력125mW
전압-정격4V
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지4-Super Mini Mold

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소음 수치

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전압-정격

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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주파수

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이득

20.2dB

전압-테스트

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전류 정격 (Amps)

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소음 수치

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전원-출력

27W

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

9A

소음 수치

-

현재-테스트

80mA

전원-출력

80W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-268A

공급자 장치 패키지

CDFM4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

200MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

SD56120C

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

14A

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

100W

전압-정격

72V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

M246

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