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CM100DU-12H

CM100DU-12H

참조 용

부품 번호 CM100DU-12H
PNEDA 부품 번호 CM100DU-12H
설명 IGBT MOD DUAL 600V 100A U SER
제조업체 Powerex Inc.
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재고 있음 8,244
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CM100DU-12H 리소스

브랜드 Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CM100DU-12H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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CM100DU-12H 사양

제조업체Powerex Inc.
시리즈IGBTMOD™
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전력-최대400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce8.8nF @ 10V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

156W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

F2

APTGT50H60T1G

Microsemi

제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전력-최대

176W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

APTGT150DH170G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Asymmetrical Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

250A

전력-최대

890W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

IFF600B12ME4B11BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EconoDUAL™ 3

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

AG-ECONOD-5

VS-GB150YG120NT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

182A

전력-최대

892W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

120µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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