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CPV362M4K

CPV362M4K

참조 용

부품 번호 CPV362M4K
PNEDA 부품 번호 CPV362M4K
설명 IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,248
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 14 - 3월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CPV362M4K 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CPV362M4K
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
CPV362M4K, CPV362M4K 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 230.8 KB)
PDFVS-CPV362M4FPBF 데이터 시트 표지
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  • CPV362M4K Distributor

CPV362M4K 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)5.7A
전력-최대23W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.93V @ 15V, 3A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce0.45nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지IMS-2

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

3350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS25R12KT3BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EconoPACK™ 2

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

145W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FP10R12W1T4B3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전력-최대

105W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

600pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GA300TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

530A

전력-최대

1136W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

750µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Dual INT-A-PAK (3 + 8)

공급자 장치 패키지

Dual INT-A-PAK

APTGT50A1202G

Microsemi

제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

277W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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장착 유형

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