CSD16340Q3T
참조 용
| 부품 번호 | CSD16340Q3T |
| PNEDA 부품 번호 | CSD16340Q3T |
| 설명 | MOSFET N-CHANNEL 25V 60A 8VSON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 17,682 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD16340Q3T 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD16340Q3T |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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CSD16340Q3T 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 60A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 8V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 8V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.2nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | +10V, -8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1350pF @ 12.5V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 450V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 45mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 150Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 120pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 700mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스 E-Line-3 |
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