CSD85301Q2
참조 용
| 부품 번호 | CSD85301Q2 |
| PNEDA 부품 번호 | CSD85301Q2 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 106,585 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD85301Q2 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD85301Q2 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CSD85301Q2 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 5V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 469pF @ 10V |
| 전력-최대 | 2.3W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-WSON (2x2) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2254pF @ 25V 전력-최대 156W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP3 공급자 장치 패키지 SP3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1400pF @ 16V 전력-최대 940mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A Rds On (최대) @ Id, Vgs 240mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 600nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15200pF @ 25V 전력-최대 1250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 39A Rds On (최대) @ Id, Vgs 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 2.7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 259nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7000pF @ 25V 전력-최대 250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 467pF @ 6V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-WDFN (2x2) |
