CSD85302LT
참조 용
| 부품 번호 | CSD85302LT |
| PNEDA 부품 번호 | CSD85302LT |
| 설명 | MOSFET 2N-CH |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 41,118 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD85302LT 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD85302LT |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CSD85302LT 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 1.7W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 4-XFLGA |
| 공급자 장치 패키지 | 4-Picostar (1.31x1.31) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 180mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 6Ohm @ 115mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.87nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 22pF @ 25V 전력-최대 300mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 149A Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 74.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1200nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 29600pF @ 25V 전력-최대 1250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 LITTLE FOOT® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.8A, 8.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 18.5mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1W, 1.25W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.8A, 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 188mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 88pF @ 10V 전력-최대 800mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 SC-88FL/MCPH6 |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
